真空鍍膜設備濺鍍的原理是什么

　　濺鍍，一般指的是磁控濺鍍，歸于高速低溫濺鍍法.

　　該技能請求真空度在1×10-3Torr擺布，即1.3×10-3Pa的真空狀況充入慵懶氣體氬氣(Ar)，并在塑膠基材(陽極)和金屬靶材(陰極)之間加上高壓直流電，因為輝光放電(glow discharge)發(fā)生的電子激起慵懶氣體，發(fā)生等離子體，等離子體將金屬靶材的原子轟出，堆積在塑膠基材上.

　　以幾十電子伏特或更高動能的荷電粒子炮擊資料外表，使其濺射出進入氣相，可用來刻蝕和鍍膜。入射一個離子所濺射出的原子個數(shù)稱為濺射產額(Yield)產額越高濺射速度越快，以Cu,Au,Ag等高，Ti,Mo,Ta,W等低。一般在0.1-10原子/離子。離子能夠直流輝光放電(glow discharge)發(fā)生，在10-1—10 Pa真空度，在兩極間加高壓發(fā)生放電，正離子會炮擊負電之靶材而濺射也靶材，而鍍至被鍍物上。

　　正常輝光放電(glow discharge)的電流密度與陰極物質與形狀、氣體品種壓力等有關。濺鍍時應盡也許保持其安穩(wěn)。任何資料皆可濺射鍍膜，即便高熔點資料也簡單濺鍍，但對非導體靶材須以射頻(RF)或脈沖(pulse)濺射;且因導電性較差，濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達10W/cm2，非金屬<5w>

　　二極濺鍍射：靶材為陰極，被鍍工件及工件架為陽極，氣體(氬氣Ar)壓力約幾Pa或更高方可得較高鍍率。

　　磁控濺射：在陰極靶外表構成一正交電磁場，在此區(qū)電子密度高，進而進步離子密度，使得濺鍍率進步(一個數(shù)量級)，濺射速度可達0.1—1 um/min膜層附著力較蒸鍍佳，是現(xiàn)在有用的鍍膜技能之一。