濺射鍍膜機(jī)的技術(shù)特點(diǎn)

　　濺射鍍膜機(jī)的技術(shù)特點(diǎn)

　　濺射鍍膜機(jī)是用離子轟擊靶材表面，把靶材的原子被擊出的現(xiàn)象稱為濺射。

　　現(xiàn)在我們的濺射產(chǎn)生的原子沉積在基體表面成膜稱為濺射鍍膜，通常是利用氣體放電產(chǎn)生氣體電離，其正離子在電場(chǎng)作用下高速轟擊陰極靶體，擊出陰極靶體原子或分子，飛向被鍍基體表面沉積成薄膜。目前人們開(kāi)發(fā)出了濺射速率較高的射頻濺射、三極濺射和磁控濺射技術(shù)。

　　射頻濺射是采用頻率為13.56MHZ的高頻交變電場(chǎng)使氣體放電產(chǎn)生等離子體。對(duì)于絕緣靶材射頻濺射最具優(yōu)勢(shì)。極濺射是利用熱絲弧光放電增強(qiáng)輝光放電產(chǎn)生等離子體，但三極濺射難以實(shí)現(xiàn)大面積均勻鍍膜，工業(yè)上未獲得廣泛應(yīng)用。提高濺射鍍膜的速率，關(guān)鍵是提高靶材的濺射率，這就必須提高等離子體的電離度，即在相同的放電功率下，獲得更多的離子，從離子轟擊靶面的濺射產(chǎn)物看，除了擊出原子或分子外，還擊出二次電子，這些電子被電場(chǎng)加速后與氣體原子或分子發(fā)生碰撞又引起氣體電離。

　　其充分利用二次電子的能量是提高等離子體電離度的有效途徑，磁控濺射是在陰極靶面建立跑道磁場(chǎng)，利用其控制二次電子運(yùn)動(dòng)，延長(zhǎng)其在靶面附近的停留，增加與氣體的碰撞幾率，從而提高等離子體密度。這樣可以大大提高靶材的濺射速率，最終提高沉積速率。